特許

J-GLOBAL ID：200903070923078472

二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子

発明者： 鄭 ▲よう▼ 洙 ,  朴 允 童 ,  柳 寅 ▲けい▼ ,  李 明 宰 ,  徐 順 愛 ,  金 惠 英 ,  安 承 彦 ,  徐 ディビッド
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368262
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179926
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極と、下部電極上に形成されて2種以上の抵抗パターンを示す第1抵抗層と、第1抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第2抵抗層と、第2抵抗層上に形成された上部電極と、を備える二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリ素子において、 下部電極と、 前記下部電極上に形成されて2種以上の抵抗パターンを示す第1抵抗層と、 前記第1抵抗層上に形成され、スレショルドスイッチング特性を持つ第2抵抗層と、 前記第2抵抗層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする二種の抵抗体を含む不揮発性メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 49/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L49/00 Z

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 相変化メモリ装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-582773   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 記憶装置とその製造方法および使用方法、半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-242653   出願人：ソニー株式会社
• メモリ・セル構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-302593   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー