特許
J-GLOBAL ID：200903070927550508

ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置

発明者：
奥野 英一

奥野 英一 について

, 
山本 武雄

山本 武雄 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-125593
公開番号（公開出願番号）：特開2008-282972
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】JBSのPNダイオードを構成する不純物層とショットキー電極とをオーミック接触させられるようにする。【解決手段】ショットキー電極4を複数の電極材料で構成し、上層電極4bをn-型ドリフト層2とショットキー接触させつつ、下層電極4aを各p型層8とオーミック接触させるようにする。これにより、ショットキーダイオード特性とPNダイオード特性の2つを兼ね備えたJBSとして、各特性を有効に生かすことが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、 前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、 前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部に開口部(3a)が形成された絶縁膜(3)と、 前記セル部に形成され、前記絶縁膜(3)の開口部(3a)を通じて、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)とを備えてなるショットキーバリアダイオード(10)と、 前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層(2)の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第2導電型のリサーフ層(6)を含む終端構造と、 前記リサーフ層(6)の内側となる前記ショットキー電極(4)のうち前記ドリフト層(2)と接する領域の下方に、前記ドリフト層(2)の表面において前記ショットキー電極(4)と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第2導電型層(8)とを備え、 前記複数の第2導電型層(8)と前記ドリフト層(2)とによりPNダイオードが構成され、 前記ショットキー電極(4)は、前記複数の第2導電型層(8)とオーミック接触する電極材料で構成された第1電極(4a)と、前記第1電極(4a)と接触し、かつ、前記ドリフト層(2)とショットキー接触する電極材料で構成された第2電極(4b)と、を有していることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (12件)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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