特許
J-GLOBAL ID：200903070938684093

量子半導体装置及びその製造方法

発明者：
宋 海智

宋 海智 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-034245
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247431
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】量子ドットに対して、正確に電気的にアクセスすることを可能とする量子半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上に形成された量子ドット12と、量子ドット12を埋め込むように形成された半導体層18と、量子ドット12の存在により半導体層18に生じる歪により、半導体層18表面の量子ドット12上の位置に形成された電極22とを有している。したがって、量子ドット12に対して正確に電気的にアクセスすることができ、また、量子ドット12に対してそれぞれ独立して電気的にアクセスすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された量子ドットと、 前記量子ドットを埋め込むように形成された半導体層と、 前記量子ドットの存在により前記半導体層に生じる歪の位置上に自己整合的に形成された電極と を有することを特徴とする量子半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285
FI (3件)：
H01L29/06 601D ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 Z
Fターム (8件)：
4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD46 ,  4M104DD47 ,  4M104FF27 ,  4M104GG20
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158957   出願人：株式会社東芝
  • 量子半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212811   出願人：富士通株式会社
  • 電子素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332493   出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (4件)
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