特許

J-GLOBAL ID：200903070940164471

薄膜の表面平坦化方法

発明者： 渋木 俊一 ,  藤田 隆 ,  南川 康夫 ,  別府 敏保 ,  渡辺 純二
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194177
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148455
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【構成】 SiO2 砥粒とCeO2 砥粒とを含む砥粒液を用い、研磨により平坦化する薄膜の表面平坦化方法。【効果】 CeO2 砥粒により研磨速度を速めることができる一方、SiO2 砥粒により、研磨の際に絶縁膜13表面に凝着しようとするCeO2 砥粒分を連続的に除去することができ、研磨終了後における絶縁膜表面13cにCeO2砥粒分はほとんど残存しない。他方、絶縁膜表面13cに残存するSiO2 砥粒分は、研磨終了後に行う洗浄工程により容易に除去することができ、したがってこれら砥粒の複合作用により清浄な絶縁膜表面13cを得ることができ、この結果パーティクルの残存を抑制することができるとともに、研磨速度を速めることができる。

請求項（抜粋）：

SiO2 、Al2 O3 もしくはコロイダルシリカ砥粒の少なくとも1種以上の砥粒とCeO2 砥粒とを含む砥粒液を用い、研磨により平坦化することを特徴とする薄膜の表面平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284118   出願人：株式会社東芝
• 特開昭57-182376
  
• 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298016   出願人：旭硝子株式会社
• 半導体ウェハの化学機械的研磨装置、同装置のプラテンへの半導体ウェハ研磨用パッドの取付け方法、および同装置の研磨用複合パッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192736   出願人：エルエスアイロジックコーポレーション