特許

J-GLOBAL ID：200903070942999287

冗長セルを有するメモリデバイス

発明者： 長井 英一 ,  大野 誓
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013613
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215687
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】冗長構成を簡単化したFeRAMなどのメモリデバイスを提供する。【解決手段】本発明は、冗長セルへの置換をすべき不良セル否かの置換情報を記録する冗長ファイルメモリを、通常のメモリセルと同じ構成のメモリセルで構成し、通常のメモリセルへのアクセス時に同時に冗長ファイルメモリにアクセス可能にする。そして、通常メモリセルへのアクセス時に冗長ファイルメモリに記録された置換情報を同時に読み出し、その置換情報に従って不良セルから冗長セルへの置き換えを行う。かかる構成にすることで、冗長ファイルメモリの構成を通常メモリセルと冗長セルと同じにすることができ、冗長回路構成を簡単にすることができる。また、冗長ファイルメモリには通常のメモリセルと同様に書き込みを行うことができるので、メモリチップがパッケージ内に収納された後であっても不良セルから冗長セルへの置換とその置換情報の記録を行うことができる。

請求項（抜粋）：

通常メモリ領域と冗長メモリ領域とを有し、前記通常メモリ領域内の不良セルを前記冗長メモリ領域内の冗長セルに置き換え可能にしたメモリデバイスにおいて、前記通常メモリ領域及び冗長メモリ領域内のセルと同じ構成のセルを有し、前記通常メモリ領域内のアクセスされたセルの置換情報を記録し、前記通常メモリ領域がアクセスされる時に同時にアクセスされ、前記置換情報の信号を出力する冗長ファイルメモリと、不良セルに対応する前記置換情報の信号に応答して、通常メモリ領域の選択を禁止し、前記冗長メモリ領域の選択を許可する選択回路を有することを特徴とするメモリデバイス。

IPC (4件)：

G11C 29/00 603 ,  G11C 29/00 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00

FI (4件)：

G11C 29/00 603 Z ,  G11C 29/00 603 J ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A

Fターム (11件)：

5B024AA03 ,  5B024AA15 ,  5B024BA02 ,  5B024BA15 ,  5B024BA18 ,  5B024BA29 ,  5B024CA17 ,  5B024CA27 ,  5L106AA01 ,  5L106CC01 ,  5L106CC22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 一括消去型不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243118   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 不揮発性半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232463   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体メモリ装置およびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-086685   出願人：松下電器産業株式会社
• 強誘電体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-074137   出願人：ソニー株式会社