特許
J-GLOBAL ID：200903070955131804
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231672
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338599
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：
【要約】【目的】キャパシタ絶縁膜として、シリコン酸化膜よりも誘電率が高い遷移金属酸化膜を用いた場合に生じ得る、キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との反応に起因する信頼性の低下を防止できる半導体装置の製造法を提供すること。【構成】下部キャパシタ電極となるタングステン膜9を形成する工程と、酸化性雰囲気中の熱処理により、タングステン膜9の表面に二酸化タングステン膜10を形成する工程と、二酸化タングステン膜10上にキャパシタ絶縁膜としてチタン酸ストロンチウム膜11を形成する工程と、このチタン酸ストロンチウム膜11上に酸化ルテニウム膜12を形成する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
表面に導電性の金属酸化膜が形成された金属膜からなる第1のキャパシタ電極と、この第1のキャパシタ電極上に設けられ、絶縁性の金属酸化膜からなるキャパシタ絶縁膜と、このキャパシタ絶縁膜上に設けられた第2のキャパシタ電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 27/10 325 J
, H01L 27/10 325 C
