特許
J-GLOBAL ID：200903070984025622

電極構造、該電極を備えたシリコン半導体素子、その製造方法及び該素子を実装した回路基板並びにその製造方法

発明者：
荘司 孝志

荘司 孝志 について

, 
堺 丈和

堺 丈和 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231872
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135533
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 電極を備えたシリコン半導体にはんだバンプを容易に形成することのできるシリコン半導体素子用の電極構造、回路基板に対してボンディングワイヤーを用いることなく直接接続できるシリコン半導体素子、接続部分に容易にはんだバンプを形成し、ボンディング高さを調整可能な電極構造の提供。【解決手段】 シリコン半導体面上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層と、該第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように積層する第2の金属層とからなり、上記第2の金属層の金属は第1の金属層の金属より有機酸に対して耐腐食性が高く、且つはんだ濡れ性が良いことからなるシリコン半導体素子の電極構造、該電極構造を有するはんだ被着半導体素子、はんだ被着シリコン半導体素子とはんだ被着回路基板を、はんだ搭載部同士を重ねて実装した回路基板並びにはんだ被着半導体素子及び回路基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体面上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層と、該第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように積層する第2の金属層とからなり、上記第2の金属層の金属は第1の金属層の金属より有機酸に対して耐腐食性が高く、且つはんだ濡れ性が良いことからなるシリコン半導体素子の電極構造。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (4件)：
H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 603 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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