特許

J-GLOBAL ID：200903070989350327

半導体基板用研磨液組成物

発明者： 米田 康洋 ,  代田 真美
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-347220
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156825
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】添加剤濃度への依存性が改善され、且つ被研磨面の凹凸パターンの密度や凹凸サイズの影響を受けにくい研磨を、少ない研磨量で速やかに達成できる半導体基板用研磨液組成物およびこの研磨液組成物を用いた基板の製造方法並びに研磨方法を提供する。【解決手段】セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる少なくとも1種類のアミノカルボン酸、セリア粒子、並びに水系媒体を含有してなる半導体基板用研磨液組成物、該研磨液組成物を、被研磨基板1cm2当たり0.01〜10g/分で該基板に供給し、表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成された半導体基板に5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる少なくとも1種類のアミノカルボン酸、セリア粒子、並びに水系媒体を含有してなる半導体基板用研磨液組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (4件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-172817   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体ウェハ研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-129291   出願人：ロデール・ニッタ株式会社
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-247096   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド

審査官引用 (1件)

• 半導体ウェハ研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-129291   出願人：ロデール・ニッタ株式会社