半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-114765
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358067
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】基板からの反射光によるハレーションや干渉現象による問題(寸法精度劣化)を解決し、精度の高いマスクアライメントを行うことで、反射率の高い基板,透明膜が介在する基板等においても微細で高精度のパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。

請求項（抜粋）：

露光光に対して透明である薄膜が形成された基板上に、前記露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に感光性薄膜を形成する工程と、前記感光性薄膜に所望のパターンを露光するにあたって、前記反射防止膜を介してパターン検出光を照射し、ホトマスクと前記基板とのアライメントを行う工程と、露光を行った前記感光性薄膜を現像する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (6件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 574 , H01L 21/30 525 K , H01L 27/10 621 C

Fターム (18件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 5F046FA03 , 5F046PA13 , 5F083AD24 , 5F083AD60 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083PR01

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-237108
特開昭63-232432
特開昭60-029748

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