特許
J-GLOBAL ID：200903071036370610

光検出装置、放射線検出装置および放射線撮像システム

発明者：
望月 千織

望月 千織 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093002
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289824
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 画素構成上必須なゲート配線、信号線、スイッチTFTの性能を落とすことなく、画素開口率を改善し、高感度化を達成すると共に、高精細化を実現する。【解決手段】 入射光を電気信号に変換する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置において、基板と光電変換素子とを覆って形成された絶縁層上であって、且つ隣接する光電変換素子の間隙の上に、光電変換素子を含む画素に接続された配線が配置されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
入射光を電気信号に変換する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置において、前記基板と前記光電変換素子とを覆って形成された絶縁層上であって、且つ隣接する前記少なくとも2つの光電変換素子の間隙の上に、前記光電変換素子を含む画素に接続された配線が配置されていることを特徴とする光検出装置。
IPC (7件)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/00 ,  G01T 1/20 ,  G03B 42/02 ,  H01L 31/09 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/32
FI (8件)：
G01T 1/00 B ,  G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 G ,  G03B 42/02 B ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/10 A
Fターム (46件)：
2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK32 ,  2G088LL12 ,  2G088LL15 ,  2H013AC01 ,  2H013AC06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  5C024AX12 ,  5C024CX41 ,  5C024DX04 ,  5F049MA01 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049QA01 ,  5F049RA08 ,  5F049SS01 ,  5F049WA07 ,  5F088AA01 ,  5F088AB05 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088DA01 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA02 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08
引用特許：
審査官引用 (6件)
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