半導体発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：釜田淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277865
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】従来のAlGaInP系バルク活性層の可視レーザと比較して、最高発振温度を上げ、高温あるいは高出力においても高い信頼性を示す優れたレーザ特性を有する半導体発光装置を提供すること。【解決手段】基板上に、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなるクラッド層、該クラッド層の上に形成された1層以上の量子井戸層を有するGaInP又はAlGaInPからなる活性層、該活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP又はAlInPからなる第1クラッド層、該第1クラッド層の上に形成され且つ電流狭窄部の少なくとも一部を構成する第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第2クラッド層、該第2クラッド層の両側面を挟み且つ該第2クラッド層よりも屈折率が低い低屈折率電流阻止層、から少なくとも構成される半導体発光装置。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなるクラッド層、該クラッド層の上に形成された1層以上の量子井戸層を有するGaInP又はAlGaInPからなる活性層、該活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP又はAlInPからなる第1クラッド層、該第1クラッド層の上に形成され且つ電流狭窄部の少なくとも一部を構成する第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第2クラッド層、該第2クラッド層の両側面を挟み且つ該第2クラッド層よりも屈折率が低い低屈折率電流阻止層、から少なくとも構成される半導体発光装置。

Fターム (12件)：

5F073AA07 , 5F073AA13 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073BA06 , 5F073CA06 , 5F073CA14 , 5F073CA16 , 5F073EA06 , 5F073EA24 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-225306 出願人：三菱化学株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346951 出願人：松下電子工業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-111530 出願人：株式会社日立製作所

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