特許
J-GLOBAL ID：200903071127999384

有害塩素化合物処理方法及びそれに用いる低圧水銀ランプ照射方法

発明者：
田嶋 直樹

田嶋 直樹 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047716
公開番号（公開出願番号）：特開2001-231879
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月28日
要約：
【要約】【課題】 有害塩素化合物処理の光源に低圧水銀ランプを使い、ランプの周囲温度と最冷部の温度をモニタしながら、安定した出力を得る有害塩素化合物処理方法とそれに用いる低圧水銀ランプ照射方法を提供すること。【解決手段】 低圧水銀ランプ4は、透明保護容器3内の冷媒10の中にガラス管の大半が没入され、また、冷媒10に没入されていないガラス管の一部に金属が密着された最冷部5を形成し、透明保護容器3の内部と最冷部5の温度を、紫外線出力モニタ8からの信号、もしくは、低圧水銀ランプ4に入力される電流電圧値を制御する。
請求項（抜粋）：
有害塩素化合物をアルカリ性アルコール系溶媒に溶解する工程と、この溶解した溶液に対し低圧水銀ランプからの紫外線を照射する工程と、この照射によって前記溶液を光分解して脱塩素化する工程とを有する有害塩素化合物処理方法において、前記低圧水銀ランプは、保護容器内の冷媒の中にガラス管の大半を没入させ、また、前記冷媒に没入されていないガラス管の一部に金属が密着された最冷部を形成し、前記透明保護容器の内部と前記最冷部の温度は、紫外線出力モニタからの信号、もしくは、前記低圧水銀ランプに入力される電流電圧値を制御することによって調整することを特徴とする有害塩素化合物処理方法。
IPC (3件)：
A62D 3/00 ,  B01J 19/12 ZAB ,  C07B 37/06
FI (3件)：
A62D 3/00 ,  B01J 19/12 ZAB D ,  C07B 37/06
Fターム (23件)：
2E191BA12 ,  2E191BA13 ,  2E191BC05 ,  2E191BD11 ,  2E191BD17 ,  4G075AA13 ,  4G075AA37 ,  4G075AA62 ,  4G075BA05 ,  4G075BD15 ,  4G075CA03 ,  4G075CA33 ,  4G075CA52 ,  4G075CA57 ,  4G075EA05 ,  4G075EB31 ,  4G075FB02 ,  4G075FC04 ,  4G075FC11 ,  4H006AA05 ,  4H006BA95 ,  4H006BB14 ,  4H006EA22
引用特許：
審査官引用 (6件)
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