半導体装置の製造方法及び半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079338
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277514
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素半導体からなる半導体装置の基板に高品質の絶縁膜を短時間で形成する半導体装置の製造方法及びその製造方法を用いて高品質の保護膜を形成することができる半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体からなる半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する際に、珪素、酸化珪素、窒化珪素あるいはこれらの混合物を堆積させた後に酸化雰囲気での熱処理あるいは窒化雰囲気での熱処理を行うことにより絶縁膜を形成することで、高品質の絶縁膜あるいは保護膜を短時間で形成することを可能にする。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体からなる半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する際に、該絶縁膜を形成する部分に珪素あるいは酸化珪素を堆積させた後に酸化雰囲気での熱処理を行い、形成された二酸化珪素を絶縁膜とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 S

Fターム (10件)：

5F058BA06 , 5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-184440 出願人：松下電器産業株式会社
炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-518224 出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド
特開平4-196587

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