特許
J-GLOBAL ID:200903071137422557

有機半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-307219
公開番号(公開出願番号):特開2005-078915
出願日: 2003年08月29日
公開日(公表日): 2005年03月24日
要約:
【課題】電子注入効率が高く、かつ、信頼性の高い電子注入電極を有する有機半導体装置を提供する。また、リソグラフィプロセスによる微細加工が可能な電子注入電極を有する有機半導体装置を提供する。 【解決手段】ガラス基板1上に正孔注入電極2が形成され、その上に正孔輸送層3および電子輸送層4が積層され、さらにその上に、電子注入電極5が積層して形成されている。電子注入電極5は、MgAu合金からなり、電子注入効率が良く、信頼性が高い。また、MgAu合金は有機溶剤を用いたリソグラフィプロセスに耐えるため、微細加工が可能である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
有機半導体層と、 MgAu合金からなり、上記有機半導体層に電子を注入する電子注入電極とを含むことを特徴とする有機半導体装置。
IPC (4件):
H05B33/26 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (4件):
H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z
Fターム (8件):
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007CC04 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA00
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 有機薄膜発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-119339   出願人:富士電機株式会社
審査官引用 (4件)
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引用文献:
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