特許
J-GLOBAL ID：200903071139677145

半導体集積回路

発明者：
西村 幸一

西村 幸一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-171774
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 関連技術の半導体集積回路は、DLL回路および周辺回路に対して共通の電源回路の出力が供給されているため、周辺回路での消費電流の増大およびノイズの混入がDLL回路の動作に影響を与えることになっていた。【解決手段】 入力する第1の制御信号から位相同期処理を行って第2の制御信号を生成するDLL回路3を有する半導体集積回路であって、該DLL回路3に対して専用の電源手段91から電源電圧を供給するように構成する。
請求項（抜粋）：
入力する第1の制御信号から位相同期処理を行って第2の制御信号を生成するDLL回路を有する半導体集積回路であって、該DLL回路に対して専用の電源手段から電源電圧を供給するようにしたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (5件)：
G06F 15/78 510 ,  G06F 1/26 ,  G06F 1/10 ,  G11C 11/407 ,  H03L 7/00
FI (6件)：
G06F 15/78 510 P ,  H03L 7/00 D ,  G06F 1/00 331 E ,  G06F 1/04 330 A ,  G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 同期型半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-320699   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体メモリ等の電子回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-188269   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平2-002214
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