特許
J-GLOBAL ID：200903071140213772
半導体装置と半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330779
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172223
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 基板上に、GaN等のIII-V 族化合物半導体層による半導体レーザ等の半導体装置を形成するに、その基板がこれの上の半導体層の劈開し易い面と一致する劈開し易い面が存在しないとか、劈開性が弱い基板である場合において、基板とともに半導体層をその劈開し易い面で破断してチップ化できて、この半導体層の破断面を光学的にすぐれた面として確実に形成できるようにする。【解決手段】 基板1上に、{Ga,Al,In}のうちの少なくとも1つの元素とNとを含む化合物半導体層2を有し、この化合物半導体層2は、上記基板1にほぼ垂直な一対の{11-20}面よりなる端面を有する構成とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、{Ga,Al,In}のうちの少なくとも1つの元素とNとを含む化合物半導体層を有し、該化合物半導体層は、上記基板にほぼ垂直な対を成す{11-20}面よりなる端面を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/20
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/20
, H01L 33/00 C
