パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305183
公開番号（公開出願番号）：特開2006-091798
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】簡略化されたプロセスにより良好な液浸リソグラフィーを可能とし、ArFエキシマレーザー等の波長180〜250nmの露光によって高感度で矩形形状のパターンを得る。【解決手段】ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として非水溶性でアルカリ可溶性の材料を用いる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として非水溶性でアルカリ可溶性材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 , G03F 7/20 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/11 501 , G03F7/20 521 , H01L21/30 565 , H01L21/30 515D

Fターム (10件)：

2H025AA01 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025DA02 , 2H025FA17 , 5F046AA28 , 5F046CB01 , 5F046CB24 , 5F046JA22

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭62-62520号公報
特開昭62-62521号公報
特開昭60-38821号公報

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