特許
J-GLOBAL ID:200903071158633000
金属化合物薄膜の形成方法および基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-107355
公開番号(公開出願番号):特開2004-313828
出願日: 2003年04月11日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】簡易かつ大量に、高屈折率の金属化合物薄膜を形成し得る方法を提供する。【解決手段】基板上に、平均粒子サイズが1〜100nmである金属コロイド粒子を含有する分散液を塗布した後、酸化処理することにより金属酸化物を形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法である。または、前記酸化処理後または酸化処理と同時に、硫化物アニオン溶液または硫化水素ガスと接触させることにより金属硫化物を形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基板上に、平均粒子サイズが1〜100nmである金属コロイド粒子を含有する分散液を塗布した後、酸化処理することにより金属酸化物を形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法。
IPC (8件):
B05D7/24
, C01B13/14
, C01G3/02
, C01G49/02
, C03C17/27
, G02B1/11
, G02B6/12
, G02B6/13
FI (9件):
B05D7/24 301H
, B05D7/24 303C
, C01B13/14 Z
, C01G3/02
, C01G49/02 Z
, C03C17/27
, G02B6/12 N
, G02B6/12 M
, G02B1/10 A
Fターム (60件):
2H047PA02
, 2H047PA03
, 2H047PA05
, 2H047QA01
, 2K009AA02
, 2K009CC02
, 2K009CC03
, 2K009CC09
, 2K009DD02
, 4D075BB28Z
, 4D075BB56Y
, 4D075BB68Z
, 4D075BB78Z
, 4D075BB93Z
, 4D075CA02
, 4D075CB01
, 4D075CB06
, 4D075DA04
, 4D075DA06
, 4D075DB01
, 4D075DB11
, 4D075DB13
, 4D075DB35
, 4D075DB36
, 4D075DB37
, 4D075DB38
, 4D075DB39
, 4D075DB43
, 4D075DB46
, 4D075DB47
, 4D075DB48
, 4D075DB53
, 4D075DB55
, 4D075DC24
, 4D075DC27
, 4D075EA06
, 4D075EA12
, 4D075EB07
, 4D075EB19
, 4D075EB37
, 4D075EC08
, 4D075EC10
, 4D075EC35
, 4D075EC53
, 4D075EC54
, 4G002AA02
, 4G002AA13
, 4G002AB02
, 4G002AD04
, 4G042DA01
, 4G042DB01
, 4G042DB08
, 4G042DD02
, 4G042DE08
, 4G042DE14
, 4G059AA08
, 4G059AC18
, 4G059AC20
, 4G059EA01
, 4G059EB09
引用特許:
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