特許

J-GLOBAL ID：200903071172415695

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 吉江 徹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 金倉 喬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-194789
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021945
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】大気中でサファイア基板を昇温させることが必要な工程に用いる半導体製造装置おけるサファイア基板の反りを抑制する手段を提供する。【解決手段】半導体製造装置が、サファイア基板を大気中で昇温させるホットプレートと、ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、サファイア基板をホットプレートと支持板との間に所定の間隔を隔てて支持すると共に、ホットプレートとサファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部を設けた支持台と、支持台を昇降させる昇降装置と、支持板上に、サファイア基板と所定の間隔を隔てると共に、サファイア基板のおもて面と対向するように配置され、ホットプレートからの輻射熱を吸収する輻射熱吸収プレートとを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板を大気中で昇温させるホットプレートと、 前記ホットプレートと所定の間隔を隔てて設置された支持板と、前記サファイア基板を、前記ホットプレートと前記支持板との間に所定の間隔を隔てて支持すると共に、前記ホットプレートと前記サファイア基板の裏面とが対向するように支持する支持部を設けた支持台と、 前記支持台を昇降させる昇降装置と、 前記支持板上に、前記サファイア基板と所定の間隔を隔てると共に、前記サファイア基板のおもて面と対向するように配置され、前記ホットプレートからの輻射熱を吸収する輻射熱吸収プレートとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/46

FI (3件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/205 ,  C23C16/46

Fターム (30件)：

4K030BA08 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA16 ,  5F004BB18 ,  5F004BB20 ,  5F004BB26 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045CA10 ,  5F045DP02 ,  5F045EK10 ,  5F045EK14 ,  5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相成長用基板及びその加熱方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-225159   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-069414   出願人：国際電気株式会社
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-222965   出願人：エア・ウォーター株式会社, スタンレー電気株式会社
• 被処理体の加熱処理装置及びその排気方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-068846   出願人：沖電気工業株式会社