特許

J-GLOBAL ID：200903071174106002

横方向に結晶化したELA多結晶SI膜を形成するために複数のマスクを使用してチャネル特性を最適化する方法

発明者： アポストロス ボウトサス ,  ジョン ダブリュー. ハーツェル ,  中田 行彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394547
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246312
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 各所望の結晶配向に対する異なるマスクパターンを選択することによってデバイスの異なる領域への所望のTFTチャネル配向に適合するように結晶配向を選択する方法を提供する。【解決手段】 基板上に多結晶領域を形成する方法は、第1のマスクパターンを選択する工程と、基板の初期領域にわたって基板を照射するように第1のマスクパターンを通じてレーザービームを方向付ける工程と、横方向結晶化プロセスを使用して初期領域をアニーリングする工程と、第2のマスクパターンを選択する工程と、基板の第2の領域にわたって基板を照射するように第2のマスクパターンを通じてレーザービームを方向付ける工程と、横方向結晶化プロセスを使用して第2の領域をアニーリングする工程とを包含する。

請求項（抜粋）：

a)第1のマスクパターンを選択する工程と、b)基板の初期領域にわたって該基板を照射するように該第1のマスクパターンを通じてレーザービームを方向付ける工程と、c)横方向結晶化プロセスを使用して該初期領域をアニーリングする工程と、d)第2のマスクパターンを選択する工程と、e)該基板の第2の領域にわたって該基板を照射するように該第2のマスクパターンを通じて該レーザービームを方向付ける工程と、f)横方向結晶化プロセスを使用して該第2の領域をアニーリングする工程とを包含する、基板上に多結晶領域を形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (22件)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  5F052AA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-217213   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046227   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046228   出願人：松下電器産業株式会社
• レーザアニーリング装置、液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076514   出願人：富士通株式会社