セラミックス回路基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：波多野久 , 関口俊三 , 猿渡章雄 , 古川潤一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-209210
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347767
出願日： 2005年07月19日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】繰り返しの冷熱サイクルを長時間付加した後においてもクラックの発生が効果的に抑制される、いわゆる耐熱サイクル性に優れた信頼性が高いセラミックス回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】Ti,Zr,Hf,V,NbおよびTaから選択される少なくとも1種の活性金属を含有する銀-銅系ろう材層5を形成し、このろう材層5を介して窒化物系セラミックス基板2と金属回路板3とを接合し、上記銀-銅系ろう材層5と窒化物系セラミックス基板2とが反応して生成される反応生成層6のビッカース硬度を1100以上とすることを特徴とするセラミックス回路基板1の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ti,Zr,Hf,V,NbおよびTaから選択される少なくとも1種の活性金属を含有する銀-銅系ろう材層を形成し、このろう材層を介して窒化物系セラミックス基板と金属回路板とを接合し、上記銀-銅系ろう材層と窒化物系セラミックス基板とが反応して生成される反応生成層のビッカース硬度を1100以上とすることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K3/38 , B23K35/30 , C22C5/08

FI (3件)：

H05K3/38 E , B23K35/30 310B , C22C5/08

Fターム (4件)：

5E343AA24 , 5E343CC01 , 5E343GG02 , 5E343GG16

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-290462
セラミックス-金属接合体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143032 出願人：株式会社ノリタケカンパニーリミテド
接合用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-260643 出願人：株式会社東芝

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