特許
J-GLOBAL ID：200903071204073635
単結晶シリコン基板の溝形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012910
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209113
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 水酸化カリウム水溶液を用いて結晶面方位が(110)の単結晶シリコン基板に200ミクロン以上の広い幅の溝を形成するに当たり、溝底面の中心部分の盛り上がりを抑制可能な溝形成方法を提案すること。【解決手段】 単結晶シリコン基板1の表面を溝形成用のマスクパターン2で覆う。このマスクパターンには、形成すべき広い幅の溝形状の中に、幅が200ミクロン以下の狭い幅の開口部が連続あるいは不連続で形成されている。水酸化カリウム水溶液によるエッチング時には、まず、複数本の狭い幅の溝11が形成され、同時に、これらの狭い幅の溝11の間のシリコン部分12も徐々にエッチング除去され、最終的には、狭い幅の溝11が相互の繋がり、目標とする広い幅の溝13が形成される。最初から広い幅の溝をエッチングする場合のような溝底面の周辺部分に対して中心付近が大きく盛り上がってしまうという弊害を回避あるいは抑制でき、底面の平坦度の高い広幅の溝を形成できる。
請求項（抜粋）：
結晶面方位が(110)のシリコン基板を水酸化カリウムを含むエッチング水溶液を用いてエッチングすることにより当該シリコン基板に溝を形成する単結晶シリコン基板の溝形成方法において、幅が200ミクロン以下の開口部を連続状態および不連続状態のうちの少なくとも一方の状態で形成した溝形成用のマスクパターンを用いることを特徴とする単結晶シリコン基板の溝形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, B41J 2/135
, H01L 21/308
H01L 21/306 P
, H01L 21/308 B
, B41J 3/04 103 N
