特許
J-GLOBAL ID:200903071205621539
量子ドット増感太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
矢野 正行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-187860
公開番号(公開出願番号):特開2008-016369
出願日: 2006年07月07日
公開日(公表日): 2008年01月24日
要約:
【課題】耐光性に優れ、著しく高い電流変換効率を有する半導体量子ドット増感太陽電池を提供する。【解決手段】透明電極側に形成された酸化チタンなどの金属酸化物n型半導体膜と、このn型半導体膜に担持されたCdS、PbSなどの直径6nm以下の半導体量子ドットと、多硫化物水溶液などの無機系液体電解質と、対極とを備えていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透明電極側に形成された金属酸化物n型半導体膜と、このn型半導体膜に担持された半導体量子ドットと、無機系液体電解質と、対極とを備えていることを特徴とする量子ドット増感太陽電池。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (10件):
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051FA30
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032AS17
, 5H032CC16
, 5H032EE03
, 5H032EE16
, 5H032HH04
引用特許:
引用文献:
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