特許

J-GLOBAL ID：200903071220925722

発光ダイオード

発明者： 海野 恒弘 ,  飯塚 和幸 ,  古屋 貴士
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (6件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-241341
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066442
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】高い発光効率を低コストで実現することのできる発光ダイオードを提供する。【解決手段】DBR光反射層6に凹凸が形成されているため、DBR光反射層6で反射された光は、反射角が変わり、臨界角以下の方向に反射される可能性が生じ光を取り出すことができるようになる。また、この凹凸を形成した基板上にエピ層が形成されているため、エピ層表面にも凹凸部が形成されることになり、表面に向かった光も光取り出し効率が高くなるとともに、また表面で反射する光も反射方向が変えられるという効果もある。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

表面に多数の凹部または凸部を有する半導体基板と、 前記半導体基板の表面一帯に半導体多層薄膜として形成されたDBR(Distributed Bragg Reflector)光反射層と、 前記DBR光反射層の表面一帯に形成され、活性層を第1の導電型の上部クラッド層と第2の導電型の下部クラッド層で挟んだ構造を有する発光部と、 前記半導体基板の裏側と前記発光部の表面に形成された電極と、を有することを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA38 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-318393   出願人：シャープ株式会社
• 米国特許第5376580号明細書
  
• 米国特許5502316号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-126545   出願人：聯銓科技股ふん有限公司
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-120209   出願人：三星電機株式会社
• 半導体発光素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006806   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-189927   出願人：オムロン株式会社