特許
J-GLOBAL ID：200903071249171719
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360918
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165657
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】トレンチ内部に形成されるゲート酸化膜の厚みを均一にすること。【解決手段】炭化珪素結晶からなるn+炭化珪素基板1の表面にn+炭化珪素基板1よりも高抵抗のn-ドリフト領域2を形成する第1の形成工程と、第1の形成工程によって形成されたn-ドリフト領域2に達するトレンチ8を形成する第2の形成工程と、トレンチ8の内側壁を構成する酸化速度が異なる複数の側壁に、各側壁の酸化速度に応じた量のイオンを注入する注入工程と、注入工程によってイオンが注入されたトレンチ8の内側壁に略均一の厚さのゲート絶縁膜10を形成する第3の形成工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素結晶からなる半導体基板の表面に当該半導体基板よりも高抵抗の半導体領域を形成する第1の形成工程と、
前記第1の形成工程によって形成された半導体領域に達するトレンチを形成する第2の形成工程と、
前記トレンチの内側壁を構成する酸化速度が異なる複数の側壁に、当該各側壁の酸化速度に応じた量のイオンを注入する注入工程と、
前記注入工程によって前記イオンが注入された前記トレンチの内側壁に略均一の厚さの絶縁膜を形成する第3の形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658F
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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