炭化珪素半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-160514
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340685
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】六方晶炭化珪素ウェハ上にUMOSFETを作製する場合、主表面が(000-1)面である場合、逆バイアス時のリーク電流の増加や絶縁破壊電圧の低下を引き起こす問題があった。移動度を低下させることなく、欠陥密度の改善を図る。【解決手段】(11-20)面を主表面とするn型4H-SiCあるいは6H-SiC基板1上に順次、熱CVD法により5μm、1016cm-3のn型ドリフト層2、1μm、1017cm-3のp型ベース層3、0.5μm、1019cm-3のn型ソース層4をエピタキシャル成長で形成させる。その基板1をソース層4、ベース層3を部分的に完全に除去できる深さまで反応性イオンエッチング法により垂直にエッチングして、トレンチ11を形成する。トレンチ側壁のMOS界面が4H-SiC(03-38)面あるいは6H-SiC(01-14)面となるように<11-20>方向から見たときのトレンチ外周の長方形の長辺が<1-100>方向から54.7°の成す角となるようにエッチングした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(11-20)面と成す角が5°以内の面を主表面とする第1の伝導型である炭化珪素半導体基板上に第1の伝導型であるドリフト層、第2の伝導型であるベース層、第1の伝導型であるソース層を順次形成し、ソース層およびベース層を貫通しドリフト層に達するトレンチの側壁が主表面に対して70°以上の角度を持ち、該トレンチ内に絶縁層とゲート電極を有するMOS構造であって、前記側壁が(03-38)面と成す角が10°以内であることを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/04

FI (5件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652E , H01L29/78 653A , H01L29/04 , H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (10件)

特許第3460585号公報
MOSデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060383 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-009625 出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所

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審査官引用 (7件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-216930 出願人：株式会社日立製作所
SiC半導体のイオン注入層及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060380 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
SiC半導体における酸化膜形成方法およびSiC半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060354 出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社

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