特許
J-GLOBAL ID：200903071286284736

低温焼成磁器および電子部品

発明者：
大渕 武志

大渕 武志 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372632
公開番号（公開出願番号）：特開2004-203646
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】Ba-Al-Si-Zn系の低誘電率の低温焼成磁器において、Q値を一層向上させることである。【解決手段】誘電率εrが10以下であるBa-Al-Si-Zn系低温焼成磁器であって、ホウ素の含有量がB2O3に換算して0.05重量%以上、0.3重量%以下である。また、誘電率εrが10以下である低温焼成磁器であって、BaSi2O5 相およびBaAl2Si2O8相を含有しており、結晶相の含有量を100重量部としたときの非晶質相の含有量が70重量部以下であり、この非晶質相が、バリウム、アルミニウム、珪素、亜鉛およびホウ素からなる群より選ばれた一種以上の元素を含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
誘電率εrが10以下であるBa-Al-Si-Zn系低温焼成磁器であって、 ホウ素の含有量がB2O3に換算して0.05重量%以上、0.3重量%以下であることを特徴とする、低温焼成磁器。
IPC (3件)：
C04B35/195 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12
FI (4件)：
C04B35/18 E ,  H01B3/12 335 ,  H01B3/12 336 ,  H01G4/12 415
Fターム (33件)：
4G030AA10 ,  4G030AA19 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA43 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA14 ,  4G030GA20 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  5E001AB01 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE04 ,  5G303AA02 ,  5G303AB08 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB30 ,  5G303CB38
引用特許：
審査官引用 (5件)
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