特許

J-GLOBAL ID：200903071315903408

半導体装置

発明者： 竹村 理一郎 ,  伊藤 清男 ,  関口 知紀 ,  阪田 健 ,  木村 勝高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042666
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243085
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 メモリアレイ電圧が低電圧化された場合でもメモリセルからの微少信号を高速かつ低消費電力でデータをセンスするセンスアンプを実現する。【解決手段】 オーバードライブ用の駆動スイッチ(QDP1)をセンスアンプ領域SAA内に分布配置するするとともにメッシュ状電源(VDBH配線)を利用してオーバードライブ用電位を供給する。【効果】 オーバードライブ用の駆動スイッチQDP1によりデータ線対D1t,D1bをデータ線振幅より大きな電圧で初期センスすることで高速センスを実現する。駆動スイッチQDP1を分布的に配置することで、センス時の電流を分散でき、センス時の電圧の遠近端差をおさえることができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルから複数のデータ線に読み出される信号を対応する前記データ線上で第1電圧に増幅するための複数のセンスアンプと、前記複数のセンスアンプの電源供給ノードを共通に接続する第1配線と、前記第1配線の一端から前記第1電圧を供給するための第1スイッチと、前記複数のセンスアンプに沿って設けられ、前記第1電圧よりも大きな第2電圧が供給される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線の間に分布して設けられた第2スイッチとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/10 681 G

Fターム (15件)：

5B024AA01 ,  5B024BA09 ,  5B024BA13 ,  5B024BA27 ,  5B024BA29 ,  5B024CA10 ,  5B024CA21 ,  5F083AD00 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083KA15 ,  5F083KA20 ,  5F083LA03 ,  5F083LA16 ,  5F083LA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179702   出願人：株式会社日立製作所, テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148007   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-281291
  
• ダイナミック型RAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-223502   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ