特許
J-GLOBAL ID：200903011375641175
半導体記憶装置
出願人/特許権者：
三菱電機株式会社
三菱電機株式会社 について
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240093
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 ディスターブリフレッシュに強く、メモリセルトランジスタのしきい値を低く設定でき、信頼性の向上を図れ、昇圧電圧発生回路を不要にでき、トリプルウェル構造を不要にできるような半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルの電位を決定することに関係する、たとえばセンスアンプのような内部回路5の低レベルのライン30にトランジスタTr1とTr2の各ドレインを接続し、トランジスタTr1のゲートをセンスドライブライン30にダイオード接続し、ソースを接地する。トランジスタTr2のゲートに内部発生信号φを与え、ソースを接地する。スタンバイ時には、センスドライブライン30の電位をトランジスタTr1のしきい値電圧Vthnだけ接地電位より高くして擬似GND電位Vss′とし、アクティブ時には、トランジスタTr2を導通させ、センスドライブライン30が擬似GND電位Vss′から浮上がるのを防止する。
請求項（抜粋）：
それぞれが複数のビット線のうちの1本と複数のワード線のうちの1本とに接続された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ、前記メモリセルアレイから前記ビット線に読出された微小電位差を増幅するためのセンスアンプ、前記メモリセルアレイからのデータの読出および前記メモリセルアレイへのデータの書込を制御する制御手段、および前記ビット線と前記メモリセルと前記センスアンプの低レベル電位のラインを接地電位よりも高い電位に設定するための電位設定手段を備えた、半導体記憶装置。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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ダイナミツク型半導体記憶装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平3-161899 出願人：株式会社東芝 -
特開昭60-052997
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半導体メモリー装置におけるワードラインの駆動回路
公報種別：公開公報 出願番号：特願平4-054981 出願人：サムサンエレクトロニクスシーオー.,エルテイーデイー
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