特許
J-GLOBAL ID:200903071413516064
フォトレジスト用高分子及びフォトレジスト用樹脂組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-368098
公開番号(公開出願番号):特開2002-169289
出願日: 2000年12月04日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【課題】 均質性に優れ、解像度の高い微細パターンを得ることのできるフォトレジスト用樹脂を得る。【解決手段】 下記式(I)【化1】(上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、R1は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1〜20の直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基、脂環式炭化水素基、有橋脂環式炭化水素基、又は複素環基を示す。)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物を提供することによる。
請求項(抜粋):
下記式(I)【化1】(上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、R1は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1〜20の直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基、脂環式炭化水素基、有橋脂環式炭化水素基、又は複素環基を示す。)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (3件):
G03F 7/039 601
, C08F 20/26
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601
, C08F 20/26
, H01L 21/30 502 R
Fターム (43件):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BF03
, 2H025BF11
, 2H025CB43
, 2H025FA17
, 4J100AJ02R
, 4J100AK32R
, 4J100AL03Q
, 4J100AL03R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100AR32R
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA04Q
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA11R
, 4J100BA15Q
, 4J100BA16P
, 4J100BA20P
, 4J100BA20Q
, 4J100BC04R
, 4J100BC08R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC12R
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA06
, 4J100DA39
, 4J100JA38
引用特許:
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