特許
J-GLOBAL ID:200903071413516064

フォトレジスト用高分子及びフォトレジスト用樹脂組成物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-368098
公開番号(公開出願番号):特開2002-169289
出願日: 2000年12月04日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【課題】 均質性に優れ、解像度の高い微細パターンを得ることのできるフォトレジスト用樹脂を得る。【解決手段】 下記式(I)【化1】(上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、R1は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1〜20の直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基、脂環式炭化水素基、有橋脂環式炭化水素基、又は複素環基を示す。)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物を提供することによる。
請求項(抜粋):
下記式(I)【化1】(上式において、Raは水素原子又はメチル基を示し、R1は水素原子又は置換基を有してもよい炭素数1〜20の直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基、脂環式炭化水素基、有橋脂環式炭化水素基、又は複素環基を示す。)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (3件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/26 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601 ,  C08F 20/26 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (43件):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF03 ,  2H025BF11 ,  2H025CB43 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100AR32R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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