特許
J-GLOBAL ID：200903071450607991

エッチング方法

発明者：
中村 孝

中村 孝 について

, 
神澤 公

神澤 公 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106319
公開番号（公開出願番号）：特開平8-296067
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 不要な残存物が残らないエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 イリジウム層4の上にフォトレジスト6を形成し、イリジウム層4を残したい部分を除いて、フォトレジストを除去する(図1A)。次に、Cl2をエッチャントとしてドライエッチングを行ない、不要な部分のイリジウム層4を除去する。この際、イリジウム層4およびフォトレジスト6の側壁に、エッチャントのCl2とイリジウムが反応し塩化イリジウム(IrCl4)8が側壁に付着する(図2B)。次に、この塩化イリジウム(IrCl4)8を除去するため、水(cold water)またはアルコールあるいはこれらの混合液によって薬液処理する。これにより、図1Cに示すように、側壁の塩化イリジウム(IrCl4)8が除去される。その後、フォトレジスト6を除去するため、O2ガスを用いてアッシングを行なう。
請求項（抜粋）：
エッチング対象膜の上に、選択的にレジストを形成するレジスト形成ステップ、前記レジストを用いて、ドライエッチングによってエッチング対象膜をエッチングするエッチングステップ、前記レジストをアッシングによって除去するアッシングステップ、を備えたエッチング方法において、前記エッチングステップとアッシングステップとの間に、エッチング対象膜とエッチングに用いたガスとの化合物またはエッチング対象膜とレジストとの化合物を溶解する液体または気体によって、これら化合物を除去する除去ステップを備えたことを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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