特許
J-GLOBAL ID:200903071484979847
高純度シリカゾル及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 徳廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-056673
公開番号(公開出願番号):特開2000-247625
出願日: 1999年03月04日
公開日(公表日): 2000年09月12日
要約:
【要約】【課題】 珪酸アルカリから作られる不純物を含まない高純度シリカゾルの製造方法を提供する。【解決手段】 下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下であるシリカゲルを水酸化第4アンモニウム水溶液に溶解する第1工程、該水酸化第4アンモニウムをイオン交換により除去して活性珪酸液を作成する第2工程、該活性珪酸液をアルカリ触媒の存在下で加熱してシリカを3〜300nmの粒子径に粒子成長させる第3工程を有することを特徴とする下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下である高純度シリカゾルの製造方法。Al、Ca、B、Ba、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sr、Ti、Zn、Zr、UおよびTh。
請求項(抜粋):
下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下である高純度シリカゲルを水酸化第四アンモニウム水溶液に溶解した後、イオン交換法または解膠法によって製造した、下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下である高純度シリカゾル。Al、Ca、B、Ba、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sr、Ti、Zn、Zr、UおよびTh。
IPC (2件):
FI (2件):
C01B 33/148
, B01J 47/00 Z
Fターム (26件):
4G072AA28
, 4G072BB05
, 4G072CC01
, 4G072DD06
, 4G072DD07
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH19
, 4G072HH21
, 4G072JJ13
, 4G072JJ33
, 4G072KK03
, 4G072LL06
, 4G072LL07
, 4G072MM21
, 4G072MM22
, 4G072MM23
, 4G072PP01
, 4G072PP02
, 4G072PP07
, 4G072RR12
, 4G072TT01
, 4G072TT19
, 4G072TT20
, 4G072TT21
, 4G072UU30
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特公昭48-031839
-
特開昭62-012608
-
特開昭61-178414
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