半導体光集積回路およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺正康 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122364
公開番号（公開出願番号）：特開平8-313745
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】受光素子または発光素子の周囲に深いみぞを形成し、その側面を不透明な薄膜でおおうことにより受光素子への迷光を遮断することのできる半導体光集積回路を実現する。【構成】受光素子または発光素子の周囲にみぞを形成し、その側面が受光部分または光出力部分を除き不透明な薄膜でおおわれるように形成する。

請求項（抜粋）：

発光素子と受光素子が同一基板上に形成された半導体光集積回路において、前記受光素子の周囲に半導体光吸収層より深いみぞが形成され、そのみぞの側面が受光素子の受光部分を除き不透明な薄膜でおおわれるように形成されたことを特徴とする半導体光集積回路。

IPC (6件)：

G02B 6/122 , G02B 6/13 , H01L 27/14 , H01L 27/15 , H01S 3/18 , H01L 31/10

FI (6件)：

G02B 6/12 B , H01L 27/15 C , H01S 3/18 , G02B 6/12 M , H01L 27/14 Z , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-144182
特開平4-263206
表面実装型双方向伝送用モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-144359 出願人：日立電線株式会社

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