プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361044
公開番号（公開出願番号）：特開平11-193466
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】直径300mm以上の大面積基板のマイクロ波プラズマ処理が均一かつ高速で行うことのできる処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理室と、プラズマ処理室内に設置された被処理基体を支持する手段と、プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する手段と、プラズマ処理室内を排気する手段と、複数のスロットを有する無終端環状導波管からなりプラズマ処理室にマイクロ波を導入する手段とで構成されるプラズマ処理装置であって、スロットは0.1l/s以下で0ではないコンダクタンスを有する誘電体板で覆われており、処理用ガスは該誘電体板を通してプラズマ処理室に導入されることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体を支持する為の支持手段と、該プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する処理用ガス導入手段と、該プラズマ処理室内を排気する排気手段と、複数のスロットを有する無終端環状導波管を有し、該プラズマ処理室にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段とで構成されるプラズマ処理装置であって、該スロットは0.1l/s以下で0ではないコンダクタンスを有する誘電体板で覆われており、該処理用ガス導入手段は該無終端環状導波管に設けられており該処理用ガスは該誘電体板を通して該プラズマ処理室に導入されることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (10件)

プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036521 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-034942
特開平1-120810

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