2重層COMSデバイス及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-519990
公開番号（公開出願番号）：特表2004-538639
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

半導体ベースのデバイスは、末端層と、該末端層に接する基部層と、を含むチャンネル層を含む。末端層は、少なくとも1つのpチャンネル型構成部品について、正孔伝導の少なくとも一部を担い、基部層は、少なくとも1つのnチャンネル型構成部品について、電子伝導の少なくとも一部を担う。基部層が、該基部層から前記末端層への効果的な正孔波動関数の拡張を可能にする厚さを持つことで、正孔伝導を前記末端層によって促進する。半導体ベースのデバイスを製造する方法は、チャンネル層末端部分を設けるステップと、チャンネル層基部部分を設けるステップと、を含む。

請求項（抜粋）：

半導体ベースのデバイスであって、チャンネル層を含み、前記チャンネル層が、少なくとも1つのpチャンネル型構成部品について、正孔伝導の少なくとも一部を担う末端層と、少なくとも1つのnチャンネル型構成部品について、電子伝導の少なくとも一部を担う基部層であって、該基部層は、前記末端層と接触し、該基部層から前記末端層への効果的な正孔波動関数の拡張を可能にする厚さを持つことで、正孔伝導を前記末端層によって促進する基部層と、を含むことを特徴とする半導体ベースのデバイス。

IPC (4件)：

H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (7件)：

H01L27/08 321C , H01L27/08 321B , H01L29/78 301B , H01L29/78 301C , H01L29/78 618E , H01L29/78 613A , H01L29/78 618B

Fターム (77件)：

5F048AB04 , 5F048AC03 , 5F048BA03 , 5F048BA05 , 5F048BA07 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BD01 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB16 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG31 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ18 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置および半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-087831 出願人：株式会社日立製作所
集積CMOS回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-150606 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-283397 出願人：株式会社東芝

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