半導体装置および半導体基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286418
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 Siおよびこれと同族元素であるGe,Cなどの組合せを用いて、低消費電力で高速な電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層1に歪印加半導体層2により歪を印加せしめ、チャネル中のキャリアの移動度を無歪のチャネル形成層の材料より大きくする。【効果】高速かつ低消費電力の相補型電界効果トランジスタを実現できる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層と、該チャネル形成層の格子に歪を印加せしめる歪印加半導体層を有し、前記チャネル中のキャリアの移動度は無歪の前記チャネル形成層の材料より大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 B , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 Q

Fターム (31件)：

5F040DA00 , 5F040DA01 , 5F040DA02 , 5F040DA05 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040DC10 , 5F040EB12 , 5F040EC07 , 5F040EE06 , 5F040EF09 , 5F040EH02 , 5F040EH05 , 5F040EJ03 , 5F040EK05 , 5F040FC06 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA03 , 5F048BA09 , 5F048BA10 , 5F048BA12 , 5F048BA14 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BG14

引用特許：

審査官引用 (8件)

電界効果トランジスタとその製造方法、半導体装置とその製造方法、その半導体装置を含む論理回路および半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074746 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135037 出願人：株式会社東芝
歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238755 出願人：株式会社東芝

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