特許
J-GLOBAL ID：200903071769674268
新規光酸発生剤を含有するレジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-144955
公開番号（公開出願番号）：特開2008-299069
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤を含有するレジスト材料。R-OCOCF(CF3)SO3- H+ (1) (Rはアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基。Rの置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル、ラクトン、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子から選ばれる一又は二以上を含んでいてもよい。)【効果】本発明のレジスト材料は、その光酸発生剤がアルカンスルホン酸のα位にトリフルオロメチル基を有しているため、酸拡散制御を行うことができ、デバイス作製工程での塗布、露光前後焼成、露光、現像工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。ArF液浸露光の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑える。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1)で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト材料。
R-OCOCF(CF3)SO3- H+ (1)
IPC (4件)：
G03F 7/004
, G03F 7/039
, G03F 7/075
, H01L 21/027
G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, G03F7/075 511
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
2H025AB16
, 2H025AC03
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BF03
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H025FA17
