半導体出力回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川久保新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145938
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344301
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】高電位電源VddOの電圧に対して、低電位電源Vddの電圧が極めて低い場合でも、良好なデューティ比を持ち、高速な信号を出力することができる半導体出力回路を提供する。【解決手段】反転信号生成回路が生成する正転信号と反転信号とを入力する第1のレベル変換回路と、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタとが縦列接続されている出力段回路とを具備し、出力段回路を構成するトランジスタのうちで、電源に接続されているPMOSトランジスタのゲートに上記第1のレベル変換回路の出力端子が接続され、反転信号生成回路が生成する正転信号と反転信号とを第2のレベル変換回路がレベル変換し、出力段回路を構成するトランジスタのうちで、最下段NMOSトランジスタのゲートに、上記第2のレベル変換回路の出力端子が接続されている。

請求項（抜粋）：

入力信号を駆動する駆動回路と、上記駆動回路の出力信号を反転する反転信号生成回路と、上記反転信号生成回路が生成する正転信号と反転信号とを入力する第1のレベル変換回路と、PMOSトランジスタとNMOSトランジスタとが縦列接続されている出力段回路とを具備し、上記出力段回路を構成するトランジスタのうちで、電源に接続されているPMOSトランジスタのゲートに上記第1のレベル変換回路の出力端子が接続されている半導体出力回路において、上記反転信号生成回路が生成する正転信号と反転信号とを入力する第2のレベル変換回路を有し、上記出力段回路を構成するトランジスタのうちで、最下段NMOSトランジスタのゲートに、上記第2のレベル変換回路の出力端子が接続されていることを特徴とする半導体出力回路。

IPC (2件)：

H03K 19/0175 , H03K 19/0185

FI (2件)：

H03K 19/00 101 F , H03K 19/00 101 E

Fターム (10件)：

5J056AA04 , 5J056AA32 , 5J056BB02 , 5J056BB18 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056EE11 , 5J056FF08 , 5J056KK03

引用特許：

審査官引用 (6件)

差動増幅回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-317862 出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
半導体出力回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-348786 出願人：日本電信電話株式会社
出力バッファ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084716 出願人：三菱電機株式会社

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