特許
J-GLOBAL ID：200903071788851456

高周波回路用パッケージ

発明者：
和田 久義

和田 久義 について

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吉田 克亨

吉田 克亨 について

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白崎 隆行

白崎 隆行 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390686
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190541
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 30GHz程度以上の場合キャスタレーション導体間の共振により電磁波の漏洩が発生し高周波信号の伝送特性が劣化するという問題があった。【解決手段】 下面に下部接地導体層6、上面に高周波回路部品8の搭載部1aを有する絶縁基板1と、搭載部1a近傍から外周近傍に配設された線路導体4及び線路導体4の両側に併設された同一面接地導体層5と、搭載部1aを囲むと共に線路導体4及び同一面接地導体層5の一部を挟んで接合され、上面に上部接地導体層7を有する絶縁枠体2とを具備し、絶縁枠体2の内外側面に同一面接地導体層5,上部接地導体層7を接続するキャスタレーション導体12を形成し、その直下の絶縁基板1に同一面接地導体層5,下部接地導体層6を接続する第1の貫通導体13を有し対向するキャスタレーション導体12間に同一面接地導体層5,上部接地導体層7,下部接地導体層6を接続する第2の貫通導体14を形成した。
請求項（抜粋）：
下面に下部接地導体層が形成され、上面に高周波回路部品が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記搭載部近傍から外周近傍にかけて配設された高周波信号を伝送するための線路導体および該線路導体の両側に併設された同一面接地導体層と、前記絶縁基板上に前記搭載部を囲むとともに前記線路導体および前記同一面接地導体層の一部を挟んで接合され、上面に上部接地導体層が形成された絶縁枠体とを具備し、前記絶縁枠体の内外側面に前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層とを接続するキャスタレーション導体を形成するとともに、該キャスタレーション導体直下の前記絶縁基板にそれぞれ前記同一面接地導体層と前記下部接地導体層とを接続する第1の貫通導体を有する高周波回路用パッケージにおいて、対向する前記キャスタレーション導体間に、前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層ならびに前記下部接地導体層とを接続する第2の貫通導体を形成したことを特徴とする高周波回路用パッケージ。
IPC (4件)：
H01L 23/02 ,  H01L 23/12 301 ,  H01P 1/00 ,  H01P 3/08
FI (4件)：
H01L 23/02 H ,  H01L 23/12 301 Z ,  H01P 1/00 Z ,  H01P 3/08
Fターム (4件)：
5J011CA12 ,  5J014CA21 ,  5J014CA41 ,  5J014CA55
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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