特許

J-GLOBAL ID：200903071789101973

エピタキシ用基板及びその製造方法

発明者： ロベルト・ドヴィリニスキ ,  ロマン・ドラジニスキ ,  イエジ・ガルチニスキ ,  レシェック・シェシュプトフスキ ,  神原 康雄
出願人/特許権者： アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ,  日亜化学工業株式会社
代理人 (4件)： 河宮 治 ,  石井 久夫 ,  竹内 三喜夫 ,  田村 啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-558483
公開番号（公開出願番号）：特表2006-509710
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層を備え、窒化物基板の両主面が実質的にそれぞれ非N極性面とN極性面からなり、基板の欠陥密度が5×105/cm2以下である。ゆえに、テンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、(0002)面からのX線ロッキングカーブの半値幅が80以下という良好な値であり、形成したテンプレート型基板は、MOCVD、MBEおよびHVPEといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力LEDといった良好なオプトエレクトロニクス機器やMOSFETといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。

請求項（抜粋）：

気相エピタキシャル成長法により形成した窒化物の層を備え、窒化物基板の両主面が実質的にそれぞれ非N極性面とN極性面からなり、基板の欠陥密度が5×105/cm2以下である、オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器用の基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F173AH22 ,  5F173AP03 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207783   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-367399   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films