特許
J-GLOBAL ID：200903071821423716
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-265950
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103955
出願日： 2002年09月11日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】複数の半導体チップを樹脂層で封装した半導体装置の反りを矯正する。【解決手段】ダミー基板11に設けられた両面接着シート12上に、複数の半導体チップ2及び表面実装部品3を並べて載置し、上記複数の半導体チップ2及び表面実装部品3上に半固体状の樹脂13を充填して、樹脂13上に矯正部材5載置し、樹脂13を金型14a,14b内で加圧しながら熱硬化すること矯正部材5が設けられた樹脂層4を形成し、これらを金型14a,14bから取り出し、両面接着シート12とともにダミー基板11を剥離する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダミー基板に設けられた剥離層上に、複数の半導体チップを並べて載置し、上記複数の半導体チップ上に樹脂材料を充填して硬化することで形成される樹脂層により上記複数の半導体チップを封装し、上記剥離層とともに上記ダミー基板が除去されることで形成される半導体装置において、
外部と電気的に接続される接続端子を一主面に有する複数の半導体チップと、上記複数の半導体チップの上記一主面が露呈するように、当該複数の半導体チップを封装する樹脂層と、
上記樹脂層に設けられ、上記樹脂材料が硬化する際に、上記樹脂層に発生する変形を矯正する矯正部材とを備える半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109EE01
, 4M109GA02
