半導体パッケージ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高宗寛暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303201
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124363
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】吸湿リフローを行うと、チップの剥離、封止樹脂のクラック、ワイヤー断線、ダイボンドの剥がれ等で半導体パッケージの信頼性が低下する。【解決手段】ガラスエポキシ樹脂等よりプリント基板1上のダイパターン2にICチップ6を固着し、リードパターン3とICチップ6とをワイヤー7で接続する。ICチップ6及びワイヤー7を熱硬化型のエポキシ樹脂よりなる封止樹脂8で封止する。前記封止樹脂8の上面部8aにプリント基板1と略等しい線膨張係数のガラスクロスをエポキシ樹脂で固めたガラスエポキシ板9を積層する。または、ガラス繊維よりなるガラスクロスを封止樹脂中に埋設する。チップと封止樹脂の剥離や、樹脂自身のクラック、ICチップのAlの腐食、Al断線、ワイヤの断線、剥がれ、ダイボンドの剥がれも発生しない。信頼性の優れた半導体パッケージを提供することが可能である。

請求項（抜粋）：

ガラスエポキシ樹脂等よりなるプリント基板上にICチップを固着するダイパターンと、前記ICチップの各電極を接続するためのリードパターンと、リードパターンと連通する導電部とを形成し、前記リードパターンとICチップとを接続するワイヤーと、前記ICチップ及びワイヤーを封止するための封止樹脂とを有する半導体パッケージにおいて、前記封止樹脂の上面部に前記プリント基板と略等しい線膨張係数の部材を配設したことを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (2件)：

H01L 23/30 B , H01L 23/30 G

Fターム (8件)：

4M109AA02 , 4M109BA04 , 4M109CA21 , 4M109EA02 , 4M109EA18 , 4M109EC04 , 4M109EC09 , 4M109EE02

引用特許：

審査官引用 (4件)

回路素子の封止構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-240571 出願人：日本ケミコン株式会社
特開昭62-101053
半導体パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-268331 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

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