特許
J-GLOBAL ID：200903071835219259
露光装置の露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140067
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335208
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】本発明は、レチクルに形成された回路パターンをウェーハ上のレジストに焼き付けるためのリソグラフィ工程にて用いられる光ステッパの露光方法において、投影パターン像の形成に最適な投影レンズのフォーカス位置を正確に制御できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、素子の回路パターンが形成されたレチクル上に、露光条件の変化により、ウェーハ上に結像される投影パターン像RPaに、光近接効果による影響が出やすい矩形状パターンからなる焦点検出用パターンCPaを設ける。露光時には、この焦点検出用パターンCPaの投影パターン像RPaを読み取って、その横方向の長さLxRPa を求め、投影レンズの焦点位置からのずれを補正するための補正値ΔFを算出する。こうして、常に、投影レンズの焦点ずれを補正しながら回路パターンの露光を行う構成となっている。
請求項（抜粋）：
レチクルに形成された、露光条件の変化にともなって、ウェーハ上に結像される投影パターン像に、光近接効果による影響が発生しやすい形状の焦点検出用パターンを、投影光学系を介して、前記ウェーハ上に転写する第1の工程と、前記ウェーハ上に形成された前記焦点検出用パターンの投影パターン像より、該投影パターン像の形成に最適な露光処理条件を算出する第2の工程と、前記算出された最適な露光処理条件にもとづいて、前記露光条件を制御する第3の工程とからなることを特徴とする露光装置の露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 514 C
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 526 A
