特許

J-GLOBAL ID：200903071908327799

配向性を持った圧電膜を生成する方法

発明者： ハロルド アレキサス ハギンス
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226699
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098370
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】 フィルタへ適用できる配向性を持った圧電材料の薄膜を低コストで形成する。【解決手段】 優れた圧電効果を示す配向性の良い薄膜が、反応チャンバ内で形成される。これは、圧電材料からなるターゲットに衝突(ボンバード)を行なうことによる。ターゲットから引き離された粒子はイオン化され、次に、静電気によって基板の表面に引き付けられ、そこで、中性化して、秩序正しく堆積する。

請求項（抜粋）：

圧電材料の膜を堆積する方法において、(A)基板の表面上に堆積されるべき圧電材料の粒子をイオン化する工程と、(B)前記基板の表面上に、前記イオン化された粒子を静電気によって引き付けて、そこに膜を形成する工程と、を有する方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/08 C ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化亜鉛膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-186499   出願人：富士電機株式会社
• 表面波素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-310410   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 薄膜作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-213608   出願人：キヤノン株式会社