特許
J-GLOBAL ID：200903072010227387

水素供給装置

発明者：
小原 宏之

小原 宏之 について

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西野 順也

西野 順也 について

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高橋 克巳

高橋 克巳 について


出願人/特許権者：
学校法人玉川学園

学校法人玉川学園 について

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株式会社IHI

株式会社IHI について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-037979
公開番号（公開出願番号）：特開2009-196827
出願日： 2008年02月19日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】水素の濃度が低い場合であっても水素含有ガスから水素を分離可能であると共に装置の稼動時の騒音を抑制可能とする。【解決手段】水素含有ガスG1に含まれる水素を選択的に透過させることによって水素を供給する水素供給装置であって、触媒作用により水素分子を水素イオンに解離すると共に水素透過性を有する第1金属層2と、電子を用いて水素イオン同士を結合させて水素分子を生成すると共に水素透過性を有する第2金属層3と、上記第1金属層2と上記第2金属層3とに挟まれると共に電圧が印加されることによって上記第1金属層2側から上記第2金属層3側に上記水素イオンを透過する水素透過層1と、上記第1金属層2を陽極とし、上記第2金属層3を陰極として上記水素透過層1に上記電圧を印加する電圧印加手段7とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
水素含有ガスに含まれる水素を選択的に透過させることによって水素を供給する水素供給装置であって、 触媒作用により水素分子を水素イオンに解離すると共に水素透過性を有する第1金属層と、 電子を用いて水素イオン同士を結合させて水素分子を生成すると共に水素透過性を有する第2金属層と、 前記第1金属層と前記第2金属層とに挟まれると共に電圧が印加されることによって前記第1金属層側から前記第2金属層側に前記水素イオンを透過する水素透過層と、 前記第1金属層を陽極とし、前記第2金属層を陰極として前記水素透過層に前記電圧を印加する電圧印加手段と を備えることを特徴とする水素供給装置。
IPC (3件)：
C01B 3/58 ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02
FI (3件)：
C01B3/58 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500
Fターム (19件)：
4D006GA41 ,  4D006HA42 ,  4D006JA30C ,  4D006KA31 ,  4D006KB01 ,  4D006MA03 ,  4D006MA13 ,  4D006MC02 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4G140FA04 ,  4G140FB04 ,  4G140FB06 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  5H027AA02 ,  5H027BA16
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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