特許
J-GLOBAL ID:200903072076357060

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-000305
公開番号(公開出願番号):特開2005-260207
出願日: 2005年01月05日
公開日(公表日): 2005年09月22日
要約:
【課題】 外部接続用の金属突起電極の接続安定性を確保できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面に内部回路に接続した電極パッド2が形成されるとともに、前記電極パッド2の周囲に電極パッド2に近接して配線6が形成され、前記電極パッド2の周縁部と配線6と半導体基板表面とを覆う保護膜4が形成され、前記電極パッド2上に金属突起電極3が前記配線6上の保護膜4に周縁部が載るように形成される。これによれば、配線6が電極パッド2に近接して形成されているため、電極パッド2の周縁部およびその周囲領域を覆う保護膜4は比較的平坦に形成され、金属突起電極3は、前記比較的平坦な保護膜4に載って形成される凸部3aに平坦な表面を持つことになる。このため、電極パッド2が小さくても金属突起電極3の表面に平坦な領域を十分に確保することができ、COG実装などでの異方性導電シート等による接続安定性を確保できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板の表面に内部回路に接続した電極パッドが形成されるとともに、前記パッドの周囲に前記電極パッドに近接して配線が形成され、前記電極パッドの周縁部と配線と半導体基板表面とを覆う保護膜が形成され、前記電極パッド上に金属突起電極が前記配線上の保護膜に周縁部が載るように形成された半導体装置。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (2件):
H01L21/92 602K ,  H01L21/92 602J
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-285696   出願人:松下電子工業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-156066   出願人:シャープ株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-365486   出願人:株式会社日立製作所
審査官引用 (2件)

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