特許
J-GLOBAL ID：200903081139488518

半導体装置

発明者：
上野 順一

上野 順一 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-285696
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110833
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 入出力パッド上にバンプのような金属突起電極を形成した半導体装置において、入出力パッド自体、あるいはパッドピッチを縮小した場合でも、金属突起電極と外部出力端子との接続の信頼性が高く、且つ、チップの平面的大きさを縮小した半導体装置を提供する。【解決手段】 基板上に拡散層11、配線層8,8’,8”、コンタクト9、層間絶縁膜10等の階層によりトランジスタや配線等が形成された能動領域1上に入出力パッド3を形成する。入出力パッド3上の表面保護膜4を開口し、入出力パッド3と同等の大きさでバリアメタル7を薄膜形成し、その上に入出力パッド3よりも少なくとも一方向に大きく寸法をのばした金属突起電極6を形成する。これにより、入出力パッド3よりも金属突起電極6の面積を大きくする。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた入出力パッド上に金属突起電極が形成され、前記金属突起電極の面積は前記入出力パッドの面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 23/12 L
Fターム (11件)：
5F033HH09 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM21 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX19
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 半導体装置のはんだバンプ形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-341681   出願人：富士通株式会社
  • 特開平1-238044
  • 電子部品の接続構造及び接続方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-287218   出願人：カシオ計算機株式会社
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