特許

J-GLOBAL ID：200903072095315620

半導体装置の製造方法

発明者： 一法師 隆志 ,  岩松 俊明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173976
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 SOI層を熱酸化する工程を経ることなく薄膜化する方法を提供する。【解決手段】NH3-H2O2-H2O溶液を満たしたエッチング槽にSOI基板10を浸漬することで等方性エッチングが施され、結晶欠陥を有さずにSOI層3の厚みが100nmとなる。

請求項（抜粋）：

SOI基板を準備する工程と、前記SOI基板のSOI層をNH3-H2O2-H2O溶液で等方的にエッチングして所定の厚さにまで薄膜化する工程と、薄膜化した前記SOI層上に半導体装置を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/306 A ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 618 D ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (24件)：

5F043AA09 ,  5F043BB02 ,  5F043DD10 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BC11 ,  5F048BD04 ,  5F048BG07 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD25 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG31 ,  5F110GG52 ,  5F110NN62 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェーハ製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211043   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体部材および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016745   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-228857   出願人：スピードファム株式会社, 堀池靖浩