特許

J-GLOBAL ID：200903072141832812

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者： 石橋 明彦 ,  伴 雄三郎 ,  武石 英見 ,  上村 信行 ,  粂 雅博 ,  木戸口 勲
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043960
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354846
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 電気的、光学的および結晶構造的等の性質に優れた窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が(0001)面から[11-20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

表面が(0001)面から[11-20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する、窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 610

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042964   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013393   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭56-059699
  
• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098633   出願人：シャープ株式会社