特許
J-GLOBAL ID：200903072144509010
可変抵抗素子とその製造方法ならびにそれを備えた半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375852
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180202
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】 安定的な抵抗スイッチング動作が可能で、かつ良好な抵抗値保持特性を有する可変抵抗素子を提供する。【解決手段】 上部電極1と下部電極3とに狭持された領域に可変抵抗体2を有する構成であって、この可変抵抗体2を、結晶粒径30nm以下の酸化チタン又は酸窒化チタンで構成する。特に、可変抵抗体2を成膜する際に、基板温度を150°C〜500°Cの条件下で行うことにより、結晶粒径が30nm以下のアナターゼ型結晶が形成される。このような構成の可変抵抗体2を有する可変抵抗素子によれば、電圧パルスを印加することで、可変抵抗体の結晶状態が変化することによって抵抗値が変化するため、フォーミングプロセスが不要であり、これによって安定した抵抗スイッチング動作が可能であるとともに、スイッチング回数を繰り返しても抵抗変動が少なく、又、高温下で長期間保管しても抵抗変動が小さいという優れた効果を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極と可変抵抗体とを備え、前記可変抵抗体が前記第1電極と前記第2電極とに狭持された領域に存し、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧パルスを印加することにより、前記第1電極と前記第2電極との間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子において、
前記可変抵抗体が結晶粒径30nm以下の酸化チタン又は酸窒化チタンで構成されることを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083MA05
, 5F083MA17
, 5F083MA18
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR33
, 5F083ZA20
